Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников цветного и черно-белого изображения.
Транзисторы КТ940А, КТ940Б, КТ940В выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы КТ940А-5, КТ940Б-5, КТ940В-5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,7 г, кристалла не более 0,01 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ940А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (10кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 0,3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА (250В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,2 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 33 Ом
