Назначение выводов:
1 - база
2 - коллектор
3 - эмиттер
Характеристики транзистора КТ872А
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
высоковольтный транзистор
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700(1500) В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 700(1500) В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(15000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (100) Вт
Обратный ток коллектора <=1000 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 7 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора <1 дБ
Аналоги транзистора КТ872А
BU508, BU508A, BU508D
Uкбо - Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо - Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои - Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и - Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо - Обратный ток коллектора
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн - напряжение насыщения коллектор-эмиттер
| Наимен. |
тип |
Uкбо(и),В |
Uкэо(и), В |
Iкmax(и), мА |
Pкmax(т), Вт |
h21э |
Iкбо, мкА |
fгр., МГц |
Uкэн, В |
| КТ872А |
n-p-n |
700(1500) |
700(1500) |
8000 (15000) |
(100) |
- |
 1000 |
7 |
<1 |
| КТ872Б |
700(1500) |
700(1500) |
8000 (15000) |
(100) |
- |
1000 |
7 |
<1 |
| КТ872В |
600(1200) |
600(1200) |
8000 (15000) |
(100) |
 6 |
600 |
7 |
<1 |
