Транзисторы КТ503 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Характеристики транзистора КТ503:
| Структура |
N-P-N |
| Uк-э.макс. |
40В |
| Uк-б.макс. |
60В |
| Iк.макс. |
150мА |
| Iк.макс.имп. |
350мА |
| Pк.макс. |
0,35Вт |
| Uэ-б.обр.макс. |
5В |
| Iк.обр. (Uк=250В) |
<1мкА |
| h21э |
80..240 |
| Uк-э.насыщ. (Iк=1мА) |
<0,6В |
| Cк |
<20пФ |
| fгр. |
>5МГц |
| Корпус |
ТО-92 |
| Диапазон температур |
-40..+85°С |
