КТ501М Хиты: 230 Увеличить изображение Увеличить изображение Увеличить изображение Транзисторы КТ501М кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).Технические условия: аА0.336.064 ТУ.Основные технические характеристики транзистора КТ501М:• Структура транзистора: p-n-p;• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт;• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (10кОм);• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 60;• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом Производитель: СССР Старая цена: 0.00 RUB Цена: 50.00 RUB Количество на складе: 1 Количество: Copyright MAXXmarketing GmbHJoomShopping Download & Support