| Предельно допустимые и основные электрические параметры |
| Символы |
Параметр |
Условия |
Мин. значение |
Тип. значение |
Макс. значение |
Единицы |
| Vcesm |
Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение |
Vbe = 0 V |
— |
— |
1700 |
В |
| Vceo |
Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) |
— |
— |
— |
825 |
В |
| Vce_sat |
Напряжение насыщения К-Э |
Ic = 4,0 А, Ib = 1,33 А |
— |
— |
1,0 |
В |
| Ic_sat |
Коллекторный ток насыщения |
F = 16 кГц |
— |
4,0 |
— |
А |
| Ic |
Ток коллектора |
— |
— |
— |
8,0 |
А |
| Icm |
Ток коллектора, пиковое значение |
— |
— |
— |
15,0 |
А |
| Ib |
Ток базы |
— |
— |
— |
4 |
А |
| Ibm |
Ток базы, пиковое значение |
— |
— |
— |
6 |
А |
| Ptot |
Мощность, рассеиваемая на коллекторе |
T = 25 °C |
— |
— |
45 |
Вт |
| Vf |
Падение напряжения на прямосмещенном диоде |
I = 8 А |
— |
1,6 |
2,0 |
В |
| Ts |
Время установления |
Ic_sat = 4,0 А, F = 16 кГц |
— |
4,8 |
5,5 |
мкс |
| hFE |
Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ |
Vce = 1 В, Ic = 4,0 A |
— |
6 |
7,3 |
— |
