Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.
КТ827 - Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N.
Транзисторы КТ827 предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления, защиты и автоматики.
Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т827А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г.
Характеристики транзистора КТ827Б:
| Структура |
N-P-N |
| Uк-э.макс. |
80В |
| Uк-б.макс. |
80В |
| Iк.макс. |
20А |
| Iк.имп.макс. (10мс) |
40А |
| Pк.макс. на радиаторе |
125Вт |
| Ск |
200-400пФ |
| Uэ-б.обр.макс. |
5В |
| Iб.макс. |
0,5А |
| Iк.обр. (Uк=60В) |
<3мА |
| h21э |
750..18000 |
| Uк-э.насыщ. |
<2В |
| fгр. |
>4МГц |
| Температура среды |
-60..+125°C |
| Корпус |
TO-3 |
Основные технические характеристики транзистора КТ827А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом
