КТ807Б - Транзистор средней мощности структуры NPN.
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в генераторах кадровой и строчной разверток, усилителях низкой частоты, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлопластмассовом КТ807А, КТ807Б и пластмассовом КТ807АМ, КТ807БМ корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов КТ807А, КТ807Б не более 2,5 г, КТ807АМ, КТ807БМ - не более 1 г.
Характеристики транзистора КТ807Б:
| Uк-э.макс. |
100В |
| Uк-э.имп.макс. |
120В |
| Iк.макс. |
0,5А |
| Iк.имп.макс. (1мс) |
1,5А |
| Pк.макс. (-45..+85°С) |
10Вт |
| Uэ-б.обр.макс. |
4В |
| Iб.макс. |
0,2А |
| Iк.обр. (Uк=100В) |
<5мА |
| h21э |
30-100 |
| Uк-э.насыщ. |
<1В |
| fгр. |
>5МГц |
