02.1980 год выпуска.
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы К198НТ3Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-4, масса не более 0,8 г.
Гарантийный срок хранения 15 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 50000 ч – в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 60000 ч – в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
